4.东芯股份

东芯半导体股份有限公司的主营业务是半导体芯片的研发、设计和销售，提供半导体芯片相关的开发服务和产品技术支持。公司的主要产品是NANDFlash、NORFlash、DRAM、MCP、技术服务。东芯股份聚焦中小容量利基型DRAM设计，产品包括DDR3、LPDDR1/2等，由韩国子公司Fidelix和中芯国际/力积电代工，2024年DRAM收入6685万元同比增长43.5%，正研发8Gb LPDDR4X，应用于物联网、可穿戴、网络通信等场景。

2026年第一季度实现营业收入4.79亿元，同比增长237.32%；实现归母净利润1.38亿元，同比增长333.9%。2025年主营产品包括NAND、MCP、DRAM，营收分别占整体的65.20%、25.05%、5.84%。

数据来源：中商产业研究院整理

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5.紫光国芯

紫光国芯（西安紫光国芯半导体）是中国大陆唯一拥有自主DRAM设计能力的存储芯片设计公司，其技术源自2006年德国奇梦达（Qimonda）破产时收购的DRAM研发团队和专利资产，目前产品覆盖SDR、DDR、DDR2、DDR3、LPDDR、LPDDR2、LPDDR4及GDDR6等全系列标准型DRAM，以及车规级、工规级特种存储器，工艺节点从110nm演进至20nm以下，HBM存储芯片处于样品系统集成验证阶段，主要面向工业控制、汽车电子、网络通信、消费电子等利基市场，是国内特种DRAM品种最齐全、技术传承最完整的供应商。

五、DRAM行业发展前景

1.跳代研发缩短国际制程代差

国内DRAM行业起步比海外三大厂晚三十年，长鑫走的是跳过冗余节点的跳代路线，从20纳米、19纳米、17纳米一路踩到16纳米和后续的14纳米，并在4F2垂直晶体管架构、无EUV的1a节点推进上与美光的路径类似，试图在EUV拿不到的前提下用架构创新把单位比特成本压到接近国际水平。这对行业的帮助在于，DRAM这种高度标准化的池子里，过去中国连入场券都没有，跳代研发加良率爬坡如果能把17纳米、16纳米的稳定量产和DDR5、LPDDR5X的速率规格对齐国际主流，就等于在中端通用DRAM这一档真正有了可替代的本土供给，而不是永远停在“能做但不经济”的示范线位置，也能让下游手机、PC、服务器厂商在海外三大厂控产涨价时有第二个可议价的货源。

2.上游设备材料配套缓解卡脖子

长鑫作为国内唯一DRAMIDM，这几年的扩产实际上把一整条国产设备材料链带起来了，北方华创的刻蚀和薄膜沉积、华海清科的CMP整机、芯源微的涂胶显影、安集科技的抛光液、沪硅产业的12英寸大硅片、江丰电子的金属靶材、彤程新材的KrF光刻胶，都在长鑫产线上做过工艺验证和批量导入，虽然ArF高端光刻、EUV光刻胶、HBM键合材料这些顶尖环节仍依赖海外，但中低端刻蚀、CMP、硅片、特气、湿化学品的国产化率已经抬到可用水平。这对行业的帮助在于，DRAM厂扩产最大的掣肘曾经是设备交期和材料认证周期，本土供应链每多咬下一块，长鑫后续合肥、北京、上海几座厂的产能爬坡就少一层外部不确定，也让国产设备在存储这个对均匀性、缺陷率要求最苛刻的场景里迭代出自己的工艺know-how，反过来又能喂给NAND和其他逻辑产线。

3.产品结构升级跳出低端内卷

海外三大厂2024年以来把七成左右的先进产能切去HBM赶AI的订单，通用DDR5、LPDDR5X的消费级和服务器端产能反而让出一块，长鑫正好把DDR4的产能往DDR5、LPDDR5X迁，同时往服务器DRAM、车规级存储、HBM3这几档延伸，澜起科技的DDR5内存接口芯片也和长鑫颗粒做绑定配套。这对行业的帮助在于，过去国产DRAM容易被压在低端消费电子里跟海外尾货打价格战，现在服务器和车规的单子毛利更厚、订单周期更长，HBM哪怕前期良率低只能供国产昇腾这类本土算力链，单价也是普通DDR5的数倍，产品结构一旦从中低端通用往“服务器+车规+HBM”三叉撑开，国内DRAM行业的利润中枢和抗周期能力会比单纯卖手机内存稳得多。

更多资料请参考中商产业研究院发布的《2026-2031年中国DRAM（动态随机存取存储器）行业深度分析及发展趋势研究预测报告》，同时中商产业研究院还提供产业大数据、产业情报、行业研究报告、行业白皮书、行业地位证明、可行性研究报告、产业规划、产业链招商图谱、产业招商指引、产业链招商考察&推介会、“十五五”规划等咨询服务。