二、产业链上游
碳化硅在半导体器件领域中是第三代半导体材料代表之一，从碳化硅器件的制造成本结构来看，衬底成本最大，占比达47%；其次是外延成本，占比为23%。这两大工序是SiC器件的重要组成部分。
数据来源：中商产业研究院整理
1.碳化硅衬底
碳化硅衬底是一种由碳和硅两种元素组成的化合物半导体单晶材料，具备禁带宽度大、热导率高、临界击穿场强高、电子饱和漂移速率高等特点。根据下游应用领域不同，可分类为导电型和半绝缘型。
在半绝缘型碳化硅衬底方面，2020年全球半绝缘型碳化硅衬底市场集中度较高，美国的Wolfspeed、II-IV以及国内山东天岳三家独大，占比合计高达98%。
数据来源：Yole，Wolfspeed，势银（TrendBank）、中商产业研究院整理
在导电型碳化硅衬底方面，2020年全球导电型碳化硅衬底美国的Wolfspeed一家独大，市占率高达62%，II-VI、SiCrystal、SKSiltron、天科合达等等企业瓜分剩余市场。
数据来源：Yole，Wolfspeed，势银（TrendBank）、中商产业研究院整理
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