中商情报网讯：据悉，第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲24日在2020国际第三代半导体论坛上透露，双循环模式推动国产化替代。预计2020年中国SiC（碳化硅）、GaN（氮化镓）电力电子和微波射频产值约为70亿元。其中，SiC、GaN电力电子产业产值2020年将达35.35亿元，比去年的29.03亿元将增长21.77%；GaN微波射频产业产值2020年将达33.75亿元，比去年的26.15亿元将增长29%。
半导体行业经过近六十年的发展，半导体材料经历了三次明显的换代和发展。第一代半导体材料主要是指硅、锗元素等单质半导体材料；第二代半导体材料主要是指化合物半导体材料，如砷化镓、锑化铟；第三代半导体材料主要分为碳化硅SiC和氮化镓GaN，相比于第一、二代半导体，其具有更高的禁带宽度、高击穿电压、电导率和热导率，在高温、高压、高功率和高频领域将替代前两代半导体材料。
资料来源：中商产业研究院整理
半导体材料是半导体产业链上游中的重要组成部分，在集成电路、分立器件等半导体产品生产制造中起到关键性的作用。第三代半导体材料以氮化镓和碳化硅、氧化锌、氧化铝、金刚石等为代表。目前比较成熟的有碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等。因此本文主要研究碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）两大第三代半导体衬底材料。
其中，碳化硅产业链环节主要有衬底片、外延片和器件环节。从事衬底片的国内厂商主要有露笑科技、三安光电、天科合达、山东天岳等；从事碳化硅外延生长的厂商主要有瀚天天成和东莞天域等；从事碳化硅功率器件的厂商较多，包括华润微、扬杰科技、泰科天润、绿能芯创、上海詹芯等。
氮化镓产业链与碳化硅产业链环节无较大差别，同样分为衬底、外延片和器件环节。尽管碳化硅被更多地作为衬底材料，但国内仍有从事氮化镓单晶生长的企业，主要有苏州纳维、东莞中镓、上海镓特和芯元基等；从事氮化镓外延片的国内厂商主要有三安光电、赛微电子、海陆重工、晶湛半导体、江苏能华、英诺赛科等；从事氮化镓器件的厂商主要有三安光电、闻泰科技、赛微电子、聚灿光电、乾照光电等。
在第三代半导体材料产业链制造以及应用环节上，SiC可以制造高耐压、大功率电力电子器件如MOSFET、IGBT、SBD等，用于智能电网、新能源汽车等行业。与硅元器件相比，GaN具有高临界磁场、高电子饱和速度与极高的电子迁移率的特点，是超高频器件的极佳选择，适用于5G通信、微波射频等领域的应用。
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中商产业研究院特整理第三代半导体材料氮化镓概念股相关企业名单如下：
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