3.碳化硅器件成本结构
碳化硅在半导体器件领域中是第三代半导体材料代表之一，从碳化硅器件的制造成本结构来看，衬底成本最大，占比达47%；其次是外延成本，占比为23%。这两大工序是SiC器件的重要组成部分。
数据来源：中商产业研究院整理
4.下游应用情况
近年来中国碳化硅功率器件市场规模快速增长，其主要驱动因素之一是新能源汽车市场的快速渗透。2021年，新能源汽车占下游应用市场的份额为38%。其次是消费类电源，占比为22%;光伏逆变器占据着15%的份额。
数据来源：CASA、中商产业研究院整理
5.碳化硅产线建设
2021年国内投产3条6英寸SiC晶圆产线，总体来看国内至少已有7条6英寸Sic晶圆制造产线(包括中试线)，另有约10条SiC生产线正在建设。GaN射频产线方面，目前有5条4英寸GaN-on-SiC生产线，约有5条GaN射频产线正在建设。
资料来源：CASA、中商产业研究院整理
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