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中商情报网讯:当前行业呈现“双轨演进、梯次突破”特征:头部企业依托全栈技术整合与先进制程量产能力主导高端市场;中游企业聚焦成熟制程国产化替代及特色工艺优化(如第三代半导体/军工),以成本控制与定制化服务构建壁垒;新兴势力则通过垂直领域创新(如纳米压印/耗材部件)切入增量市场。核心挑战在于突破极紫外(EUV)配套空白与高端零部件对外依赖,未来竞争将加速向AI驱动工艺控制及全球化认证标准(ISO/车规级)维度升级。
2025年中国刻蚀机重点企业核心竞争力排名
| 排名 | 企业简称 | 核心竞争力分析 |
| 1 | 北方华创 | 全产业链布局覆盖刻蚀/沉积/清洗设备,ICP刻蚀累计出货超3200腔,14nm电容耦合等离子刻蚀机量产,5nm设备进入中芯国际验证,绑定长江存储生态链 |
| 2 | 中微公司 | 5nm等离子刻蚀机全球第一梯队,2025上半年刻蚀设备收入37.81亿元(同比增40.12%),先进逻辑/存储器件关键工艺实现量产,研发投入占比营收30.07% |
| 3 | 盛美上海 | 单片清洗设备技术全球领先,Tahoe技术降低28nm以下制程耗材成本30%,铜互连电镀设备打破垄断,配套中芯国际先进产线 |
| 4 | 屹唐半导体 | 干法去胶设备市占率全球第一,高速干法刻蚀技术适配3D NAND堆叠,晶圆厂扩产订单年增50% |
| 5 | 拓荆科技 | 混合键合设备填补国产空白,PECVD设备12英寸产线覆盖率80%,3D NAND堆叠层数突破500层,28nm制程设备批量交付 |
| 6 | 中电科 | 军工级刻蚀设备自主可控,耐辐射设计适配航天芯片,特种工艺设备覆盖雷达/卫星领域,军品订单占比超60% |
| 7 | 创世威纳 | 纳米压印光刻-刻蚀一体化设备突破10nm线宽,紫外固化技术降低光刻胶依赖,泛半导体领域定制化方案成熟 |
| 8 | 芯源微 | 前道涂胶显影设备国产化率第一,双工架构设计提升产能30%,28nm工艺验证完成,军工领域订单占比25% |
| 9 | 吉佳蓝(中国) | 韩国技术本土化标杆,ICP干法刻蚀设备全球出货量前五,无锡基地投产3个月订单破千万,射频电源系统能效比行业领先 |
| 10 | 至纯科技 | 湿法刻蚀设备良率99.99%,14nm以下颗粒控制达国际水平,高纯工艺系统服务中芯国际/华虹,光伏与半导体双赛道协同 |
| 11 | 金盛微纳 | MEMS传感器刻蚀专精,深硅刻蚀纵横比达50:1,物联网芯片定制化开发响应速度行业第一 |
| 12 | 世源科技 | 第三代半导体刻蚀设备突破,碳化硅刻蚀速率提升至1μm/min,良品率98%,新能源汽车功率模块量产配套 |
| 13 | 华海清科 | CMP设备垄断国内市场,抛光精度0.1纳米级,刻蚀-CMP协同工艺降低晶圆损伤率,导入三星西安工厂产线 |
| 14 | 中科飞测 | AI驱动缺陷检测设备覆盖2Xnm工艺,刻蚀过程实时监控系统降低晶圆报废率15%,绑定中芯国际7nm验证 |
| 15 | 凯世通 | 离子注入机-刻蚀协同方案,低能大束流技术突破28nm节点,并购Compart Systems强化气体控制系统 |
| 16 | 赫菲斯半导体 | 射频电源核心部件国产替代,13.56MHz高频源稳定性达99.8%,适配北方华创/中微刻蚀机,维修成本降低40% |
| 17 | 晋成半导体 | 刻蚀设备耗材专精,硅电极寿命突破1000小时,陶瓷部件纯度99.999%,替代进口份额超30% |
| 18 | 微导纳米 | 原子层刻蚀(ALE)设备精度达原子级,TOPCon电池刻蚀设备订单超20亿元,光伏-半导体工艺复用降本显著 |
| 19 | 沈阳拓荆 | PECVD-刻蚀复合设备降低线宽误差,柔性显示面板刻蚀良率99.5%,OLED产线覆盖率居国内前三 |
| 20 | 中科院微电子所 | 产学研转化核心平台,EUV光源刻蚀原型机通过验收,超分辨掩模技术突破7nm限制,专利授权覆盖等离子体控制算法 |
资料来源:中商产业研究院整理
更多资料请参考中商产业研究院发布的《2025-2030年中国刻蚀机行业分析及发展预测报告》,同时中商产业研究院还提供产业大数据、产业情报、行业研究报告、行业白皮书、行业地位证明、可行性研究报告、产业规划、产业链招商图谱、产业招商指引、产业链招商考察&推介会、“十五五”规划等咨询服务。
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