铁电存储器(FRAM,ferroelectric RAM)是一种随机存取存储器,它将动态随机存取存储器(DRAM)的快速读取和写入访问——它是个人电脑存储中最常用的类型——与在电源关掉后保留数据能力(就像其他稳定的存储设备一样,如只读存储器和闪存)结合起来。富士通开创了FRAM技术,并在此领域耕耘超过10年,从1999年开始量产,最初为客户提供产品定制化服务,后续又向市场推出单体FRAM存储器产品, FRAM是未来的技术,而且注定要维持那样的模式;FRAM在某一段时间在某些方面是有潜力的,但还没有真正走向主流。中国的铁电存储器产业为空白。设计和工艺两方面都缺少技术支持,但未来FRAM在中国市场会有很大的发展空间。截止2016年,富士通全球FRAM存储器销量已经超过33亿片。包括中国在内世界主要的电表制造商都是FRAM产品的忠实拥趸,特别是三相电表中FRAM的应用渗透率非常高。中国已经是富士通FRAM继日本之后的第二大市场。目前FRAM除了在对于安全性及稳定性要求较高医疗、工控等领域应用较为广泛,未来智能电表、汽车等新兴领域也是很有潜力的重要增长点。预计未来5年全球FRAM市场将以14%的复合平均年成长率(CAGR)增长,其低功耗特性是推动市场成长的关键力量,预计到2023年全球铁电存储器市场规模将突破30亿美金。
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