中商情报网讯：闪存芯片是一种非易失性半导体闪存芯片，利用浮栅电晶体储存电荷以实现资料记录，其核心特点是允许在操作中被多次电擦除或写入，并且断电後数据仍能长期保存，无需依赖持续供电。

闪存芯片行业存在一定的周期性，通常以三至四年为一个周期，因此短期市场表现存在波动性。中商产业研究院发布的《2026-2031年中国闪存芯片市场调查与行业前景预测专题研究报告》显示，受新冠疫情的影响，闪存芯片企业面临原材料供应短缺，叠加全球经济下滑，以收入计，全球闪存芯片市场规模一度从2020年的585亿美元下降至2023年的409亿美元。随着经济复苏，全球闪存芯片市场规模在2024年迎来拐点，目前市场正处于快速回升阶段。以收入计，全球闪存芯片的市场规模于2024年增至684亿美元，同比增长67.0%。2025年市场规模增至745亿美元。同时，AI技术的成熟及广泛应用已成为闪存芯片行业市场关键驱动力，预计将推动市场规模持续增长。具体而言，此不仅提升了对存储芯片的需求，亦促使产品组合向高性能、高存储容量及高可靠性的高附加值产品升级。在供应方面，由于新产能释放周期较长，短期供应难以追上快速增长的需求，导致供需失衡、价格上涨。因此，市场已进入量价齐升的阶段。在此背景下，预估闪存芯片行业的成长周期将超越约两年的历史规律，进入技术创新与高阶应用持续带动的新阶段。中商产业研究院分析师预测，2026年全球闪存芯片的市场规模将达2644亿美元。

数据来源：中商产业研究院整理

全球闪存芯片行业发展趋势

1.新材料和新器件技术协同突破

材料层面，氮化硅、氧化铪的应用，有望推动闪存芯片向更大存储容量、更快读写速度方向演进。器件层面，芯片堆叠技术将持续进阶，在紧凑空间内实现存储容量和功能的跃升。

2.CIM等新型技术迭代推动闪存芯片能效突破

随着AI技术的快速普及，智能设备需处理的数据与代码量大幅增加。传统芯片运算架构正面临带宽受限、能效低下。在此背景下，近存计算技术应运而生，该技术透过将运算单元置于存储单元附近，以缩短数据传输距离，成为缓解该等瓶颈的过渡性解决方案。在先进封装技术与新型存储介质的驱动下，该技术正逐步迈向更先进的CIM，直接嵌入存储单元。透过在数据存储位置直接执行运算，CIM完全避免数据移动所伴随的能耗与延迟，从而尽量提高闪存芯片的能效。

3.ReRAM等新型存储器商业化落地加速

ReRAM具备高速读写、超低功耗、高工艺兼容性与CIM适配优势，契合智能设备的本地高精度推理需求；FRAM兼具ROM与RAM特性，具备低功耗优势；MRAM凭借高速读写与高擦写耐久性，适配汽车电子产品等对存储稳定性要求严苛的场景。该等新型存储器预期将成为传统闪存芯片的重要补充。

4.SLCNAND Flash持续向先进制程节点迭代

SLCNANDFlash的制程正加速向更先进的节点迭代，从40nm发展至目前主流的3xnm和2xnm节点，并向1xnm演进。这一趋势将有助于芯片成本、功耗进一步降低，同时提升数据读取速度与可靠性。

5.NOR Flash工艺平台不断升级

随着行业对降本增效、跨场景适配的需求升级，NORD等新工艺平台加速涌现，致力于在不同性能之间实现更优平衡。NORD既具备ETOX的宽温适应性、长数据保持能力，又兼具SONOS的尺寸小、功耗低、擦写快优势。同时，NORD工艺平台作为纯国产化平台，其应用能显着降低对进口工艺的依赖，为存储产业链自主可控筑基。凭借诸多优势，NORD工艺平台有望持续在众多领域中深化应用。

更多资料请参考中商产业研究院发布的《2026-2031年中国存储芯片行业前景与市场趋势洞察专题研究报告》，同时中商产业研究院还提供产业大数据、产业情报、行业研究报告、行业白皮书、行业地位证明、可行性研究报告、产业规划、产业链招商图谱、产业招商指引、产业链招商考察&推介会、“十五五”规划等咨询服务。