中商情报网讯：IGBT作为一种新型功率半导体器件，是国际上公认的电力电子技术第三次革命最具代表性的产品，被称为电力电子行业里的“CPU”。近年来，随着国家政策的支持和国内企业技术水平的提升，其国产化进程加速推进。
一、产业链
IGBT产业链上游为原材料及设备，其中原材料为半导体材料，包括硅片、光刻胶、电子特气、封装材料、溅射靶材等，设备为半导体设备，包括光刻机、刻蚀机等；中游为IGBT芯片的设计、制造、封测过程，IGBT按照产品的封装形式分类可分为IGBT单管、IGBT模块和智能功率模块（IPM）；下游广泛应用于新能源汽车、光伏发电、消费电子、智能电网、轨道交通、工业控制等领域。
资料来源：中商产业研究院整理
IGBT产业链以上游高壁垒材料设备（12英寸硅片微变形＜0.1nm、DUV光刻套刻精度≤1.5nm）为核心支撑，中游技术纵深贯穿芯片设计（沟槽栅结构导通压降≤1.7V）、制造（背面减薄至80μm）、封装测试（IPM响应＜2μs）；下游深度赋能新能源革命——新能源汽车（电驱功率密度＞35kW/L）、光伏逆变（效率＞99%）两大场景占全球需求65%，并驱动工业控制（变频器载频＞20kHz）、轨道交通（3.3kV高压模块）智能化升级。未来发展聚焦SiC/IGBT混合集成（损耗再降50%）、车规级可靠性突破（结温＞200℃）、芯片国产替代（中芯国际12英寸IGBT线量产），亟需攻克材料纯度（电子特气≥99.9999%）、封装散热（热阻＜0.3K/W）及成本优化（8英寸线成本↓30%）等瓶颈，以满足全球碳中和背景下新能源装备年增30%的爆发需求。
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