2020年SiC/GaN电力电子产业产值将超35亿元 两大材料产业链及前景分析(图)
来源:中商产业研究院 发布日期:2020-11-26 13:57
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(二)第三代半导体材料——氮化镓GaN

在第三代半导体材料产业链制造以及应用环节上,SiC可以制造高耐压、大功率电力电子器件如MOSFET、IGBT、SBD等,用于智能电网、新能源汽车等行业。与硅元器件相比,GaN具有高临界磁场、高电子饱和速度与极高的电子迁移率的特点,是超高频器件的极佳选择,适用于5G通信、微波射频等领域的应用。

具体来看,氮化镓产业链与碳化硅产业链环节无较大差别,同样分为衬底、外延片和器件环节。尽管碳化硅被更多地作为衬底材料,但国内仍有从事氮化镓单晶生长的企业,主要有苏州纳维、东莞中镓、上海镓特和芯元基等;从事氮化镓外延片的国内厂商主要有三安光电、赛微电子、海陆重工、晶湛半导体、江苏能华、英诺赛科等;从事氮化镓器件的厂商主要有三安光电、闻泰科技、赛微电子、聚灿光电、乾照光电等。

资料来源:中商产业研究院整理

氮化镓作为第三代半导体材料,有更高的禁带宽度,是迄今理论上电光、光电转换效率最高的材料体系,下游应用包括微波射频器件(通信基站等),电力电子器件(电源等),光电器件(LED照明等)。不过,第三代半导体材料中,受技术与工艺水平限制,氮化镓材料作为衬底实现规模化应用仍面临挑战,其应用主要是以蓝宝石、硅晶片或碳化硅晶片为衬底,通过外延生长氮化镓以制造氮化镓器件。

根据该期刊论文援引Yole的预测,2020年末,GaN射频器件市场规模将达到7.5亿美元,年均复合增长率20%。目前氮化镓器件已应用于5G通信基站射频收发单元、消费类电子快速充电器、电动汽车充电机OBC等领域。

资料来源:国泰君安

注:以上信息仅供参考,如有遗漏与不足,欢迎指正!

更多资料请参考中商产业研究院发布的《中国第三代半导体材料产业市场前景及投资机会研究报告,同时中商产业研究院还提供产业大数据、产业情报、产业研究报告、产业规划、园区规划、十四五规划、产业招商引资等服务。

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